Toshiba bo naslednje leto sprožila xl spomine

Japonska multinacionalka je v zadnjem Flash Memory Summitu objavila podatke o svojih novih shranjevalnih rešitvah XL-FLASH in danes o njih vemo nekaj več. Podrobneje si oglejmo strategijo Toshibine tehnologije in novo tehnologijo, ki še dodatno zamegli razliko med pomnilnikom NAND in DRAM .

Toshiba XL-FLASH skladiščne rešitve za začetek leta 2020

Te rešitve za shranjevanje so Toshibin neposreden odgovor na Samsungov spomin Z-NAND in Intelov 3D XPoint . Izstopajo po tem, da so tipi SLC (Single Level Cells, v španščini) , torej da bodo shranili le en bit na celico, tako da bodo nekoliko manjši, vendar veliko bolj zanesljivi in ​​z nižjo zakasnitvijo.

Najmanjši spomini, narejeni s to strukturo, bodo znašali 128 GB in bodo razdeljeni na 16 ravnin. To bo močno povečalo sposobnost vzporednega dela, še posebej v primerjavi z drugimi spomini na osnovi 3D NAND . V zameno bo vsaka stran velikosti le 4 kB , kar je precej nizko število v primerjavi z neposredno konkurenco.

Po drugi strani je bilo za nadomestitev tega padca ugotovljeno, da bodo latencije branja manjše od 5 µs . Če ga postavimo v perspektivo s 50 μs 3D TLC-ja , je to zelo izboljšanje.

Še ena točka, ki jo je treba opozoriti, je, da bodo ti modeli na voljo vsem tretjim podjetjem . Za razliko od spominov Z- SSD, ki so ekskluzivni za Samsung , bomo videli nekaj spominov pod imenom različnih blagovnih znamk s tehnologijo Toshiba .

Nekatera podjetja so o tem že spregovorila in so zelo zainteresirana za objavo lastnih modelov. To bo verjetno pretrestilo pomnilniški trg, in kot vsi vemo, je večja konkurenca običajno boljša.

Sestavljanje teh rešitev za shranjevanje se bo začelo prihodnji mesec in kot smo napovedovali na začetku, bomo videli njihovo predstavitev prihodnje leto.

Ali menite, da lahko XL-FLASH spremeni pomnilniški trg? Delite svoje ideje tukaj v polju za komentar.

Pisava Anandtech