Samsung začne množično proizvodnjo pomnilnika vnand pete generacije

Samsung Electronics, svetovni vodja na področju napredne pomnilniške tehnologije, je danes napovedal začetek množične proizvodnje svojih novih pomnilniških čipov VNAND pete generacije, ki bodo ponudili najhitrejše hitrosti prenosa podatkov, ki so danes na voljo.

Samsungova peta generacija VNAND je že množična

Novi Samsung-jevi spominski čipi VNAND pete generacije temeljijo na vmesniški tehnologiji DDR 4.0, ki omogoča hitrost prenosa podatkov do 1, 4 gigabita na sekundo, kar je 40 odstotkov več kot njegova tehnologija. četrta generacija 64 plasti. Ta peta generacija Samsung VNAND zlaga najmanj 90 plasti pomnilnika v piramidni strukturi z navpično izvrtanimi mikroskopskimi luknjami za kanale. Te drobne luknje za kanale, široke le nekaj sto nanometrov (nm), vsebujejo več kot 85 milijard celic CTF, ki lahko shranijo vsaka tri bite podatkov.

Priporočamo, da preberete našo objavo. Potrjeno je, da bo cena pomnilnika NAND še naprej padala

Energetska učinkovitost Samsung-ove nove pete generacije VNAND ostaja primerljiva z energijo 64-slojnega čipa, zahvaljujoč zmanjšanju delovne napetosti z 1, 8 voltov na 1, 2 volta. Ta nova pomnilna tehnologija ponuja tudi najhitrejšo hitrost pisanja podatkov do danes, 500 mikrosekund, kar je 30-odstotno izboljšanje v primerjavi s prejšnjo generacijo hitrosti pisanja. Po drugi strani se je odzivni čas za branje signalov znatno zmanjšal do 50 mikrosekund.

Samsung bo hitro pospešil množično proizvodnjo svoje pete generacije VNAND za zadovoljevanje širokega obsega tržnih potreb, saj še naprej vodi gibanje pomnilnika visoke gostote v kritičnih sektorjih, kot so superračunalništvo, poslovni strežniki in najnovejše mobilne aplikacije.

Pisava Techpowerup