Samsung začne proizvodnjo svojih novih spominov emram

Samsung Electronics je danes sporočil, da je začel serijsko proizvodnjo svojih novih pomnilnikov eMRAM z 28-nanometrskim proizvodnim postopkom (FD-SOI).

Samsungovi spomini na eMRAM obljubljajo revolucijo v industriji

Pomnilnik MRAM je bil v razvoju že vrsto let in je nehlapen magnetni RAM, kar pomeni, da ne izgublja podatkov, ko nima moči, kot to počne običajni RAM.

Samsungova eMRAM zasnovana na 28FDS rešitvah ponuja prednosti brez moči in hitrosti z nižjimi stroški. Ker eMRAM pred pisanjem podatkov ne potrebuje jasnega cikla, je njegova hitrost pisanja približno tisočkrat hitrejša kot eFlash. Poleg tega eMRAM uporablja nižje napetosti kot Flash pomnilniki in v stanju izklopa ne porabi električne energije, kar ima za posledico visoko energijsko učinkovitost.

Prednosti pred spomini, ki se uporabljajo v današnjem času, kot sta pomnilnik RAM in Flash, so revolucionarne, z zamudami 1ns, večjo hitrostjo in večjo odpornostjo. Spomini na eMRAM so bili zasnovani tako, da nadomestijo trenutne pomnilnike RAM in Flash NAND, čeprav bomo na to morali še malo počakati.

Pravijo, da bodo imeli prvi moduli, ki jih je ustvaril Samsung, zelo omejene zmogljivosti. Korejsko podjetje ni želelo dati preveč podrobnosti o modulih, ki jih izdelujejo, vendar namerava začeti testirati modul z zmogljivostjo 1 GB pred koncem leta 2019. Kasneje Samsung načrtuje tudi izdelavo eMRAM-a s svojim 18FDS procesom in vozlišči temelji na bolj naprednih FinFET-jih.

To je morda rojstvo novega obdobja, ko gre za shranjevanje računalnika. Spremljali bomo njegov razvoj.

TechpowerupAnandtech pisava