Samsung napoveduje svoje nove spomine v

Tehnologija shranjevanja SSD še naprej izboljšuje velikanski napredek, Samsung pa je v ospredju inovacij in napoveduje peto generacijo V-NAND, ki bo število plasti povečala na 96 z relativno malo drugimi spremembami v oblikovanju. Peta generacija bo vključevala prvo Samsungovo bliskavico QLC NAND (štiri bite na celico), z zmogljivostjo 1TB (128 GB) na odmrl.

96-slojni V-NAND spomini: več skladiščenja, trajnosti in manjša poraba

Samsung je lani napovedal svojo četrto generacijo 3D NAND-a, s 64-slojno zasnovo. Ta četrta generacija V-NAND je zdaj v proizvodnji in bo v prihodnjih mesecih uporabljena v številnih izdelkih. Večina izdelkov bo uporabljala 256GB ali 512GB TLC matrike. V primerjavi z 48-slojno V-NAND tretje generacije 64-slojni V-NAND ponuja enake lastnosti branja, vendar približno 11% večjo uspešnost pisanja.

Poraba energije je bila bistveno izboljšana, tako da se je tok, potreben za delovanje branja, zmanjšal za 12%, za programsko delovanje pa se je zahtevana poraba energije zmanjšala za 25%. Samsung trdi, da njegov 64-slojni V-NAND v konfiguraciji TLC lahko traja od 7000 do 20.000 ciklov programa / brisanja, zato bodo s tem novim 96-slojnim pomnilnikom enote imele daljšo življenjsko dobo.

Samsungovi napovedani SSD diski, ki temeljijo na prejšnjih tehnologijah V-NAND, vključujejo 2, 5-palčni 128-bitni QLC s pomočjo SSL SSD. Za to enoto bo Samsung zložil 32 matric na paket, skupno 4TB na vsako napravo BGA.

To je nov korak v bližnji prihodnosti, da začnemo upokojevati magnetne pogone za shranjevanje.

Vir: anandtech