Novice

Intel in micron dosegata visoko gostoto pomnilnika na nand tlc

Anonim

Intel naj bi močno spodbudil že napovedani trg domačih SSD-jev, ki se pripravlja na predstavitev svoje prve pomnilniške naprave s pomnilnikom 3D NAND v drugi polovici leta 2015.

Nove naprave s 3D NAND so rezultat povezave med Intelom in Micronom. Dosegli so tehnologijo, ki bo v enem samem MLC matriku ponudila 256 Gb (32 GB) zmogljivosti za shranjevanje, količino, ki jo je mogoče z uporabo povečati na 48 GB na um bliskovni pomnilnik TLC.

Samsung uporablja tudi tehnologijo TLC, vendar je dosegel zmogljivost shranjevanja veliko nižjo od zmogljivosti, ki jo je dosegla zveza med Intelom in Micronom, Korejci pa so dosegli le 86 Gb oziroma 128 Gb v MLC in TLC.

Nova gostota shranjevanja podatkov, ki sta jo dosegla Intel in Micron, bo lahko v prihodnosti povzročila zelo varčne SSD naprave, poleg drugih naprav z ogromno zmogljivostjo shranjevanja v primerjavi z obstoječimi.

Vir: dvhardware

Novice

Izbira urednika

Back to top button